鎂錠中硅含量超標(biāo)的原因有哪些
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日期:
2012-12-01
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T 】
回復(fù)：
鎂錠的硅來(lái)源于粗鎂，多存在于內(nèi)外表層，可以是單質(zhì)硅，硅的氧化物(SiO2)或硅化鎂(Mg2Si)，主要是以Mg2Si其次是SiO2形式存在。還原真空小于15Pa時(shí)，產(chǎn)生硅化鎂，球團(tuán)表面粉塵大，成球率不高粉料太多，抽氣速率較大時(shí)把粉塵帶到結(jié)晶器內(nèi)粗鎂中。隔熱擋板不裝或設(shè)計(jì)不公道都會(huì)導(dǎo)致硅高。在還原后期出罐時(shí)結(jié)晶器不能迅速掏出，在鎂著火燃燒時(shí)溫度急劇升高，還可天生硅的其他化合物。最后就是精煉時(shí)溫度把握不好，采用不當(dāng)?shù)娜蹌?，致使硅的含量不能降低?/FONT>